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近日，希荻微(688173)推出兩款新產品——HL85103L和HL85105L。這兩款高性能單通道低邊開關芯片均集成了NMOS功率FET，特別適用于電阻或電感負載，一側連接到電池的應用場景。

希荻微官微顯示，上述兩款新品均配備了包括熱關斷、自動重啟、短路保護等高級保護功能，以確保在各種工作條件下都能穩定運行。同時，在無需外部續流二極管的架構基礎上，兩款產品能夠保證其在使用過程中的通用性和效率，從而在多種應用場景的表現更為優異。為適應各種極端環境，以及滿足汽車電子對小型化和集成度的要求，HL85103L和HL85105L可在-40°C至+150°C的寬結溫范圍內正常工作，同時采用緊湊型的SO-8封裝，以提高安裝過程中的便捷性和靈活性。

據了解，高低邊開關集成功率MOSFET、驅動電路、保護電路（包括過流、短路、過溫等）、診斷功能（包括電流電壓檢測、溫度監測、通信接口）等，高集成化特性明顯。為了穩定電源和減少EMI，其內部可能還集成了電容，能夠為負載提供電路保護的功能。由于高低邊開關的集成度更高，因此對芯片制造工藝、封裝散熱等要求也較高。

值得關注的是，隨著電動汽車智能化程度加深帶動電器設備的不斷增多，采用高集成化的高低邊開關，替代傳統的保險絲、繼電器方案成為趨勢。據業內人士估算，目前在傳統燃油車上，平均每輛汽車需要40到60個通道的高低邊開關，而在新能源汽車上，相關需求將達到80—120個通道。按照國內汽車年產量2800萬輛估算，預計2025年國內汽車高低邊開關市場規模將達到25億—35億元人民幣。（文穗）

校對：呂久彪